IRF540STRRPBF, MOSFET 100V N-CH HEXFET D2-PAK
![IRF540STRRPBF, MOSFET 100V N-CH HEXFET D2-PAK](https://static.chipdip.ru/lib/367/DOC012367935.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2 980 ֏
от 10 шт. —
2 450 ֏
от 100 шт. —
1 930 ֏
от 250 шт. —
1 750 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 2 980 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
Технические параметры
Brand: | Vishay Semiconductors |
Channel Mode: | Enhancement |
Configuration: | Single |
Factory Pack Quantity: | 800 |
Id - Continuous Drain Current: | 28 A |
Manufacturer: | Vishay |
Maximum Operating Temperature: | +175 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Number of Channels: | 1 Channel |
Package/Case: | D2PAK-3(TO-263-3) |
Pd - Power Dissipation: | 150 W |
Product Category: | MOSFET |
Product Type: | MOSFET |
Qg - Gate Charge: | 72 nC |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 77 mOhms |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | Si |
Transistor Polarity: | N-Channel |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
Вес, г | 4 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 210 КБ