IRF730ASPBF, MOSFET 400V N-CH HEXFET D2-PA
![Фото 1/3 IRF730ASPBF, MOSFET 400V N-CH HEXFET D2-PA](https://static.chipdip.ru/lib/955/DOC043955325.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/172/DOC012172378.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/190/DOC026190696.jpg)
2 800 ֏
от 10 шт. —
2 180 ֏
от 100 шт. —
1 660 ֏
от 250 шт. —
1 430 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 2 800 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
Описание Транзисторы и сборки MOSFET TO263
Технические параметры
Channel Type | N Channel |
Drain Source On State Resistance | 1Ом |
Power Dissipation | 74Вт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Монтаж транзистора | Surface Mount |
Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
Напряжение Истока-стока Vds | 400В |
Непрерывный Ток Стока | 5.5А |
Пороговое Напряжение Vgs | 4.5В |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-263(D2PAK) |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
Вес, г | 1.438 |
Техническая документация
Datasheet IRF730ASPBF
pdf, 172 КБ
Datasheet IRF730ASPBF
pdf, 229 КБ