IRF730STRLPBF, MOSFET N-Chan 400V 5.5 Amp
![IRF730STRLPBF, MOSFET N-Chan 400V 5.5 Amp](https://static.chipdip.ru/lib/516/DOC006516338.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2 940 ֏
от 10 шт. —
2 320 ֏
от 100 шт. —
1 730 ֏
от 250 шт. —
1 490 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 2 940 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
МОП-транзистор N-Chan 400V 5.5 Amp
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 5.5 A |
Pd - рассеивание мощности | 74 W |
Qg - заряд затвора | 38 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 1 Ohms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 400 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Высота | 4.83 mm |
Длина | 10.67 mm |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 800 |
Серия | IRF |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Торговая марка | Vishay Semiconductors |
Упаковка / блок | TO-263-3 |
Ширина | 9.65 mm |
Вес, г | 3 |
Техническая документация
Datasheet IRF730STRLPBF
pdf, 168 КБ