IRF820ALPBF, MOSFET 500V N-CH HEXFET TO-26

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

2 320 ֏

от 10 шт. — 1 740 ֏

от 100 шт. — 1 320 ֏

от 250 шт. — 1 160 ֏

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 2 320 ֏

Номенклатурный номер: 8005359570

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET

МОП-транзистор 500V N-CH HEXFET TO-26

Id - непрерывный ток утечки	2.5 A
Pd - рассеивание мощности	50 W
Qg - заряд затвора	17 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	3 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	500 V
Vgs - напряжение затвор-исток	30 V, + 30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	2 V
Вид монтажа	Through Hole
Высота	9.65 mm
Длина	10.67 mm
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Размер фабричной упаковки	1000
Серия	IRF
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Торговая марка	Vishay Semiconductors
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-262-3
Ширина	4.83 mm
Вес, кг	4.39