IRFD320PBF, MOSFETs 400V N-CH HEXFET HEXDI
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2 270 ֏
от 10 шт. —
1 780 ֏
от 100 шт. —
1 340 ֏
от 250 шт. —
1 180 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 2 270 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Unclassified
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 400В, 0,31А, 1Вт, DIP4 Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 490mA(Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 400V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Feature | - |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 410pF @ 25V |
| Manufacturer | Vishay Siliconix |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C(TJ) |
| Package / Case | 4-DIP(0.300", 7.62mm) |
| Packaging | Tube |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1W(Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.8 Ohm @ 210mA, 10V |
| Series | - |
| Supplier Device Package | 4-DIP, Hexdip, HVMDIP |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250ВµA |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Документация
pdf, 410 КБ
Datasheet IRFD320, SiHFD320
pdf, 408 КБ
