IRFI9620GPBF, MOSFETs 200V P-CH HEXFET MOSFET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
3 030 ֏
от 10 шт. —
2 400 ֏
от 100 шт. —
1 800 ֏
от 250 шт. —
1 600 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 3 030 ֏
Описание
Unclassified
МОП-транзистор 200V P-CH HEXFET МОП-транзистор
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 3 A |
| Pd - рассеивание мощности | 30 W |
| Qg - заряд затвора | 15 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 1.5 Ohms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 200 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4 V |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Высота | 15.49 mm |
| Длина | 10.41 mm |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | P-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 50 |
| Серия | IRFI |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Торговая марка | Vishay Semiconductors |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Ширина | 4.7 mm |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Maximum Continuous Drain Current | 1.9 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 1.5 Ω |
| Maximum Drain Source Voltage | 200 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 30 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TO-220FP |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 15 nC @ 10 V |
| Width | 4.83mm |
| Вес, г | 6 |
