IRFIZ48GPBF, MOSFETs 60V N-CH HEXFET MOSFET

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

3 160 ֏

от 10 шт. — 2 490 ֏

от 100 шт. — 2 000 ֏

от 250 шт. — 1 810 ֏

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 3 160 ֏

Номенклатурный номер: 8005359664

Unclassified

Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 60В, 26А, 50Вт, TO220FP Характеристики

Вид монтажа	Through Hole
Высота	15.49 mm
Длина	10.41 mm
Категория продукта	МОП-транзистор
Подкатегория	MOSFETs
Размер фабричной упаковки	50
Серия	IRFIZ
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Торговая марка	Vishay / Siliconix
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-220-3
Ширина	4.7 mm
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	37 A
Maximum Drain Source Resistance	18 mΩ
Maximum Drain Source Voltage	60 V
Maximum Gate Source Voltage	-20 V, +20 V
Maximum Operating Temperature	+175 °C
Maximum Power Dissipation	50 W
Minimum Gate Threshold Voltage	2V
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Through Hole
Number of Elements per Chip	1
Package Type	TO-220FP
Pin Count	3
Transistor Configuration	Single
Transistor Material	Si
Typical Gate Charge @ Vgs	110 nC @ 10 V
Вес, г	6