IRFP350LCPBF, MOSFET 400V N-CH HEXFET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
5 600 ֏
от 25 шт. —
4 000 ֏
от 100 шт. —
3 460 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 5 600 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
МОП-транзистор 400V N-CH HEXFET
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 16 A |
| Pd - рассеивание мощности | 190 W |
| Qg - заряд затвора | 76 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 300 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 400 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 500 |
| Серия | IRFP |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Торговая марка | Vishay Semiconductors |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-247-3 |
| Base Product Number | IRFP350 -> |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 16A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 400V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| ECCN | EAR99 |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 76nC @ 10V |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2200pF @ 25V |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| Package | Tube |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Power Dissipation (Max) | 190W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 300mOhm @ 9.6A, 10V |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Supplier Device Package | TO-247-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250ВµA |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 16 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 300 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 400 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 190 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TO-247AC |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 76 nC @ 10 V |
| Width | 5.31mm |
| Вес, г | 89 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 1306 КБ
Datasheet IRFP350LCPBF
pdf, 1332 КБ
Datasheet IRFP350LCPBF
pdf, 1319 КБ
