IRFP448PBF, MOSFET 500V N-CH HEXFET
![Фото 1/3 IRFP448PBF, MOSFET 500V N-CH HEXFET](https://static.chipdip.ru/lib/770/DOC016770964.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/770/DOC016770971.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/367/DOC023367976.jpg)
6 900 ֏
от 10 шт. —
5 300 ֏
от 25 шт. —
4 020 ֏
от 100 шт. —
3 390 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 6 900 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
MOSFET; Power; N-Ch; VDSS 500V; RDS(ON) 0.6Ohm; ID 11A; TO-247AC; PD 180W; VGS +/-20V
Технические параметры
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Maximum Continuous Drain Current | 11 A |
Maximum Drain Source Resistance | 600 mΩ |
Maximum Drain Source Voltage | 500 V |
Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 180 W |
Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | TO-247AC |
Pin Count | 3 |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Material | Si |
Typical Gate Charge @ Vgs | 84 nC @ 10 V |
Width | 5.31mm |
Transistor Polarity | N Channel; Continuous Drain Current Id |
Вес, г | 7 |