IRFPC40PBF, MOSFET 600V N-CH HEXFET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
4 090 ֏
от 10 шт. —
3 520 ֏
от 25 шт. —
2 920 ֏
от 100 шт. —
2 360 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 4 090 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 600В, 4,3А, 150Вт, TO247AC Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 6.8 A |
Pd - рассеивание мощности | 150 W |
Qg - заряд затвора | 60 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 1.2 Ohms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
Вид монтажа | Through Hole |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 500 |
Серия | IRFPC |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Торговая марка | Vishay Semiconductors |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | TO-247-3 |
EU RoHS | Compliant |
ECCN (US) | EAR99 |
Part Status | Active |
HTS | 8541.29.00.95 |
Product Category | Power MOSFET |
Configuration | Single |
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Number of Elements per Chip | 1 |
Maximum Drain Source Voltage (V) | 600 |
Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
Maximum Continuous Drain Current (A) | 6.8 |
Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 1200@10V |
Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 60(Max)@10V |
Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 60(Max) |
Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 1300@25V |
Maximum Power Dissipation (mW) | 150000 |
Typical Fall Time (ns) | 20 |
Typical Rise Time (ns) | 18 |
Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 55 |
Typical Turn-On Delay Time (ns) | 13 |
Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
Automotive | No |
Pin Count | 3 |
Supplier Package | TO-247AC |
Standard Package Name | TO-247 |
Military | No |
Mounting | Through Hole |
Package Height | 20.82(Max) |
Package Length | 15.87(Max) |
Package Width | 5.31(Max) |
PCB changed | 3 |
Tab | Tab |
Lead Shape | Through Hole |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 6.8A(Tc) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
FET Feature | - |
FET Type | N-Channel |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 60nC @ 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1300pF @ 25V |
Manufacturer | Vishay Siliconix |
Mounting Type | Through Hole |
Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C(TJ) |
Package / Case | TO-247-3 |
Packaging | Tube |
Power Dissipation (Max) | 150W(Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2Ohm @ 4.1A, 10V |
Series | - |
Supplier Device Package | TO-247-3 |
Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
Vgs (Max) | В±20V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250ВµA |
Drain Source On State Resistance | 1.2Ом |
Power Dissipation | 150Вт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Монтаж транзистора | Through Hole |
Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
Напряжение Истока-стока Vds | 600В |
Непрерывный Ток Стока | 6.8А |
Пороговое Напряжение Vgs | 4В |
Рассеиваемая Мощность | 150Вт |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 1.2Ом |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-247AC |
Вес, г | 243 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1494 КБ
Datasheet IRFPC40PBF
pdf, 1507 КБ
Datasheet IRFPC40PBF
pdf, 1494 КБ
Документация
pdf, 1498 КБ