IRFR1N60ATRLPBF, MOSFETs N-Chan 600V 1.4 Amp
![IRFR1N60ATRLPBF, MOSFETs N-Chan 600V 1.4 Amp](https://static.chipdip.ru/lib/514/DOC006514246.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 920 ֏
от 10 шт. —
1 520 ֏
от 100 шт. —
1 130 ֏
от 500 шт. —
890 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 920 ֏
Описание
Unclassified
МОП-транзистор N-Chan 600V 1.4 Amp
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 1.4 A |
Pd - рассеивание мощности | 36 W |
Qg - заряд затвора | 14 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 7 Ohms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Высота | 2.38 mm |
Длина | 6.73 mm |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Серия | IRFR |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Торговая марка | Vishay Semiconductors |
Упаковка / блок | TO-252-3 |
Ширина | 6.22 mm |
Вес, г | 23 |
Техническая документация
Datasheet IRFR1N60ATRLPBF
pdf, 263 КБ