IRFR320TRRPBF, MOSFETs 400V N-CH HEXFET D-PAK
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2 050 ֏
от 10 шт. —
1 600 ֏
от 100 шт. —
1 180 ֏
от 500 шт. —
930 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 2 050 ֏
Описание
Unclassified
Технические параметры
| Brand: | Vishay Semiconductors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Id - Continuous Drain Current: | 3.1 A |
| Manufacturer: | Vishay |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package/Case: | DPAK-3(TO-252-3) |
| Pd - Power Dissipation: | 42 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 20 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 1.8 Ohms |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 400 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
| Вес, г | 299 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 46 КБ
