IRFR9110PBF, MOSFETs 100V P-CH HEXFET MOSFET D
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 200 ֏
от 10 шт. —
850 ֏
от 100 шт. —
680 ֏
от 500 шт. —
560 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 200 ֏
Описание
Unclassified
Описание Транзистор P-MOSFET, полевой, -100В, -2А, 25Вт, DPAK Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Case | DPAK, TO252 |
| Drain current | -2A |
| Drain-source voltage | -100V |
| Gate charge | 8.7nC |
| Gate-source voltage | ±20V |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | tube |
| Manufacturer | VISHAY |
| Mounting | SMD |
| On-state resistance | 1.2Ω |
| Polarisation | unipolar |
| Power dissipation | 25W |
| Type of transistor | P-MOSFET |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 3.1A(Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Feature | - |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.7nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 200pF @ 25V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C(TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak(2 Leads+Tab), SC-63 |
| Packaging | Tape & Reel(TR) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W(Ta), 25W(Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2 Ohm @ 1.9A, 10V |
| Series | - |
| Supplier Device Package | D-Pak |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250ВµA |
| Вес, г | 112 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 768 КБ
Документация
pdf, 786 КБ
