IRFR9220PBF, MOSFET P-Chan 200V 3.6 Amp
![Фото 1/6 IRFR9220PBF, MOSFET P-Chan 200V 3.6 Amp](https://static.chipdip.ru/lib/757/DOC043757631.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/514/DOC006514245.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/461/DOC004461947.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/918/DOC006918617.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/236/DOC021236151.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/236/DOC021236155.jpg)
2 090 ֏
от 10 шт. —
1 560 ֏
от 100 шт. —
1 240 ֏
от 250 шт. —
1 150 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 2 090 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
Описание Транзистор P-МОП, полевой, 200В 3,6A 42Вт 1,5Ом TO252AA
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 3.6 A |
Pd - рассеивание мощности | 42 W |
Qg - заряд затвора | 20 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 1.5 Ohms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 200 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4 V |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | P-Channel |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Серия | IRFR/U |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Торговая марка | Vishay Semiconductors |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | TO-252-3 |
Automotive | No |
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | P |
Configuration | Single |
ECCN (US) | EAR99 |
EU RoHS | Compliant with Exemption |
Maximum Continuous Drain Current (A) | 3.6 |
Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 1500 10V |
Maximum Drain Source Voltage (V) | 200 |
Maximum Gate Source Leakage Current (nA) | 100 |
Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 4 |
Maximum IDSS (uA) | 100 |
Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
Maximum Power Dissipation (mW) | 2500 |
Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
Mounting | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Part Status | Active |
PCB changed | 2 |
Pin Count | 3 |
PPAP | No |
Product Category | Power MOSFET |
Standard Package Name | TO-252 |
Supplier Package | DPAK |
Tab | Tab |
Typical Fall Time (ns) | 19 |
Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 20(Max) |
Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 20(Max)10V |
Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 340 25V |
Typical Rise Time (ns) | 27 |
Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 7.3 |
Typical Turn-On Delay Time (ns) | 8.8 |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 3.6A(Tc) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
FET Feature | - |
FET Type | P-Channel |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 340pF @ 25V |
Manufacturer | Vishay Siliconix |
Mounting Type | Surface Mount |
Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C(TJ) |
Package / Case | TO-252-3, DPak(2 Leads+Tab), SC-63 |
Packaging | Digi-ReelВ® |
Power Dissipation (Max) | 2.5W(Ta), 42W(Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5Ohm @ 2.2A, 10V |
Series | - |
Supplier Device Package | D-Pak |
Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
Vgs (Max) | В±20V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250ВµA |
Maximum Continuous Drain Current | 3.6 A |
Maximum Drain Source Resistance | 1.5 Ω |
Maximum Drain Source Voltage | 200 V |
Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 2.5 W |
Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Package Type | DPAK(TO-252) |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Material | Si |
Typical Gate Charge @ Vgs | 20 nC @ 10 V |
Width | 6.22mm |
Вес, г | 1.438 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 778 КБ
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 792 КБ
Datasheet
pdf, 778 КБ
Документация
pdf, 775 КБ