IRFR9220TRRPBF, MOSFETs 200V P-CH HEXFET MOSFET D
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2 000 ֏
от 10 шт. —
1 560 ֏
от 100 шт. —
1 180 ֏
от 250 шт. —
1 010 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 2 000 ֏
Описание
Unclassified
МОП-транзистор 200V P-CH HEXFET МОП-транзистор D
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 3.6 A |
| Pd - рассеивание мощности | 42 W |
| Qg - заряд затвора | 20 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 1.5 Ohms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 200 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | P-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Серия | IRFR/U |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Торговая марка | Vishay Semiconductors |
| Упаковка / блок | TO-252-3 |
| Вес, г | 3 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 778 КБ
