IRFRC20TRPBF, MOSFETs 600V N-CH HEXFET D-PAK

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

1 470 ֏

от 10 шт. — 1 160 ֏

от 100 шт. — 840 ֏

от 500 шт. — 730 ֏

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 1 470 ֏

Номенклатурный номер: 8005359754

Unclassified

МОП-транзистор 600V N-CH HEXFET D-PAK

Id - непрерывный ток утечки	2 A
Pd - рассеивание мощности	42 W
Qg - заряд затвора	18 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	4.4 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	600 V
Vgs - напряжение затвор-исток	20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	2 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Высота	2.38 mm
Длина	6.73 mm
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Размер фабричной упаковки	2000
Серия	IRFRC
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Торговая марка	Vishay Semiconductors
Упаковка / блок	TO-252-3
Ширина	6.22 mm
Case	DPAK, TO252
Drain current	1.3A
Drain-source voltage	600V
Gate charge	18nC
Gate-source voltage	±20V
Kind of channel	enhanced
Kind of package	reel, tape
Manufacturer	VISHAY
Mounting	SMD
On-state resistance	4.4Ω
Polarisation	unipolar
Power dissipation	42W
Type of transistor	N-MOSFET
Вес, г	27