IRFU420APBF, MOSFETs N-Chan 500V 3.3 Amp
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 960 ֏
от 10 шт. —
1 520 ֏
от 100 шт. —
1 160 ֏
от 250 шт. —
990 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 960 ֏
Описание
Unclassified
Описание Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 3,3А; Idm: 10А; 83Вт; IPAK Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Brand | Vishay Semiconductors |
| Channel Mode | Enhancement |
| Configuration | Single |
| Factory Pack Quantity | 3000 |
| Fall Time | 13 ns |
| Height | 6.22 mm |
| Id - Continuous Drain Current | 3.3 A |
| Length | 6.73 mm |
| Manufacturer | Vishay |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | Through Hole |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Package / Case | TO-251-3 |
| Packaging | Tube |
| Pd - Power Dissipation | 83 W |
| Product Category | MOSFET |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 3 Ohms |
| Rise Time | 12 ns |
| RoHS | Details |
| Technology | Si |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time | 16 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 8.1 ns |
| Unit Weight | 0.01164 oz |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 500 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 30 V |
| Width | 2.38 mm |
| Вес, г | 1 |
