IRFU430APBF, MOSFET N-Chan 500V 5.0 Amp
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2 400 ֏
от 10 шт. —
1 870 ֏
от 100 шт. —
1 420 ֏
от 250 шт. —
1 230 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 2 400 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
МОП-транзистор N-Chan 500V 5.0 Amp
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 5 A |
| Pd - рассеивание мощности | 110 W |
| Qg - заряд затвора | 24 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 1.7 Ohms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 500 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Высота | 6.22 mm |
| Длина | 6.73 mm |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 75 |
| Серия | IRFR/U |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Торговая марка | Vishay Semiconductors |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-251-3 |
| Ширина | 2.39 mm |
| Вес, г | 62 |
