IRFZ48PBF, MOSFETs N-Chan 60V 50 Amp
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
3 830 ֏
от 10 шт. —
2 890 ֏
от 100 шт. —
2 100 ֏
от 250 шт. —
1 940 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 3 830 ֏
Описание
Unclassified
Технические параметры
| Brand: | Vishay Semiconductors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Id - Continuous Drain Current: | 50 A |
| Manufacturer: | Vishay |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Packaging: | Tube |
| Pd - Power Dissipation: | 190 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 110 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 18 mOhms |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4 V |
| Вес, г | 6 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 51 КБ
