CPC5603CTR, MOSFETs N Ch Dep Mode FET 415V
![Фото 1/3 CPC5603CTR, MOSFETs N Ch Dep Mode FET 415V](https://static.chipdip.ru/lib/501/DOC016501510.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/775/DOC043775389.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/012/DOC004012682.jpg)
1 200 ֏
от 10 шт. —
940 ֏
от 100 шт. —
710 ֏
от 500 шт. —
540 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 200 ֏
Описание
Unclassified
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 415В, 0,13А, 2,5Вт, SOT223 Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
Brand: | IXYS Integrated Circuits |
Channel Mode: | Depletion |
Configuration: | Single |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
Id - Continuous Drain Current: | 5 mA |
Manufacturer: | IXYS |
Maximum Operating Temperature: | +85 C |
Minimum Operating Temperature: | -40 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Number of Channels: | 1 Channel |
Package/Case: | SOT-223-3 |
Pd - Power Dissipation: | 2.5 W |
Product Category: | MOSFET |
Product Type: | MOSFET |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 14 Ohms |
Series: | CPC5603 |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | Si |
Tradename: | Clare |
Transistor Polarity: | N-Channel |
Transistor Type: | 1 N-Channel |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 415 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3.6 V |
Вес, г | 0.1 |