HFA3134IHZ96, RF Bipolar Transistors W/ANNEAL TXARRAY 2X NPN MATCHED INDE
![HFA3134IHZ96, RF Bipolar Transistors W/ANNEAL TXARRAY 2X NPN MATCHED INDE](https://static.chipdip.ru/lib/100/DOC006100146.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
987 шт., срок 7-9 недель
7 300 ֏
от 10 шт. —
6 100 ֏
от 25 шт. —
5 600 ֏
от 100 шт. —
4 530 ֏
1 шт.
на сумму 7 300 ֏
Описание
RF & Wireless\RF Transistors\RF Bipolar Transistors
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Технические параметры
Collector Emitter Voltage Max NPN | 9В |
Continuous Collector Current NPN | 26мА |
DC Current Gain hFE Min NPN | 48hFE |
DC Ток Коллектора | 26мА |
DC Усиление Тока hFE | 48hFE |
Transition Frequency NPN | 8.5ГГц |
Количество Выводов | 6вывод(-ов) |
Максимальная Рабочая Температура | 85°C |
Монтаж транзистора | Surface Mount |
Напряжение Коллектор-Эмиттер | 9В |
Полярность Транзистора | Двойной NPN |
Стиль Корпуса Транзистора | SOT-23 |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 2-1 год |
Вес, г | 0.018 |
Техническая документация
Datasheet HFA3134IHZ96
pdf, 364 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 11 сентября1 | бесплатно |
HayPost | 15 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг