ISL89163FBEBZ, Gate Drivers 6A PEAK HI SPD PWR MSFT DRVR 8LD EP
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
711 шт., срок 6-9 недель
6 100 ֏
от 10 шт. —
5 100 ֏
от 100 шт. —
3 710 ֏
от 250 шт. —
3 270 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 6 100 ֏
Описание
Power\Power Management ICs\Gate Drivers
Технические параметры
Brand: | Renesas/Intersil |
Configuration: | Non-Inverting |
Factory Pack Quantity: | 980 |
Fall Time: | 20 ns |
Manufacturer: | Renesas Electronics |
Maximum Operating Temperature: | +125 C |
Minimum Operating Temperature: | -40 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Number of Drivers: | 2 Driver |
Number of Outputs: | 2 Output |
Output Current: | 6 A |
Package/Case: | SOIC-EP-8 |
Packaging: | Tube |
Pd - Power Dissipation: | 33.3 W |
Product Category: | Gate Drivers |
Product Type: | Gate Drivers |
Product: | MOSFET Gate Drivers |
Propagation Delay - Max: | 25 ns |
Rise Time: | 20 ns |
Subcategory: | PMIC-Power Management ICs |
Supply Voltage - Max: | 16 V |
Supply Voltage - Min: | 4.5 V |
Technology: | Si |
Вес, г | 0.08 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 360 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 20 августа1 | бесплатно |
HayPost | 23 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг