MRF557, RF Bipolar Transistors RF Transistor
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
65 шт., срок 6-9 недель
5 200 ֏
от 10 шт. —
4 000 ֏
от 25 шт. —
3 620 ֏
1 шт.
на сумму 5 200 ֏
Номенклатурный номер: 8005414822
Бренд: Advanced Semiconductor. Inc.
Описание
RF & Wireless\RF Transistors\RF Bipolar Transistors
Технические параметры
Brand: | Advanced Semiconductor, Inc. |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 16 V |
Configuration: | Single |
Continuous Collector Current: | 400 mA |
DC Collector/Base Gain hFE Min: | 90 |
Emitter- Base Voltage VEBO: | 4 V |
Factory Pack Quantity: | 1 |
Manufacturer: | Advanced Semiconductor, Inc. |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Operating Frequency: | 800 MHz |
Package/Case: | 317D-02 |
Packaging: | Tray |
Pd - Power Dissipation: | 3 W |
Product Category: | RF Bipolar Transistors |
Product Type: | RF Bipolar Transistors |
Subcategory: | Transistors |
Technology: | Si |
Transistor Polarity: | NPN |
Transistor Type: | Bipolar Power |
Type: | RF Bipolar Power |
Вес, г | 5 |
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 25 августа1 | бесплатно |
HayPost | 28 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг