MRF587, RF Bipolar Transistors RF Transistor
3 шт., срок 6-9 недель
59 500 ֏
1 шт.
на сумму 59 500 ֏
Номенклатурный номер: 8005414826
Бренд: Advanced Semiconductor. Inc.
Описание
RF & Wireless\RF Transistors\RF Bipolar Transistors
Технические параметры
| Brand: | Advanced Semiconductor, Inc. |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 17 V |
| Continuous Collector Current: | 200 mA |
| DC Collector/Base Gain hFE Min: | 50 |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 2.5 V |
| Manufacturer: | Advanced Semiconductor, Inc. |
| Maximum Operating Temperature: | +200 C |
| Minimum Operating Temperature: | -65 C |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Operating Frequency: | 500 MHz |
| Package/Case: | Case244-04 |
| Packaging: | Tray |
| Pd - Power Dissipation: | 5 W |
| Product Category: | RF Bipolar Transistors |
| Product Type: | RF Bipolar Transistors |
| Subcategory: | Transistors |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | NPN |
| Transistor Type: | Bipolar Power |
| Type: | RF Bipolar Power |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 60 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 25 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 28 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
