IXTP80N10T, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 80А 230Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 160 ֏
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 10 шт. —
980 ֏
от 20 шт. —
920 ֏
от 50 шт. —
860 ֏
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 2 320 ֏
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 80А 230Вт
Технические параметры
Корпус | TO-220AB | |
Channel Type | N Channel | |
Drain Source On State Resistance | 0.014Ом | |
Power Dissipation | 230Вт | |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) | |
Линейка Продукции | Trench | |
Максимальная Рабочая Температура | 175°C | |
Монтаж транзистора | Through Hole | |
Напряжение Измерения Rds(on) | 10В | |
Напряжение Истока-стока Vds | 100В | |
Непрерывный Ток Стока | 80А | |
Полярность Транзистора | N Канал | |
Пороговое Напряжение Vgs | 4.5В | |
Рассеиваемая Мощность | 230Вт | |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.014Ом | |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-220 | |
Вес, г | 3.2 |
Техническая документация
Datasheet IXTP80N10T
pdf, 289 КБ