UJ3C065080T3S, SiC MOSFETs 650V/80mOhms, SICFET,G3,TO220-3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1068 шт., срок 6-8 недель
8 900 ֏
от 25 шт. —
7 200 ֏
от 100 шт. —
6 000 ֏
от 250 шт. —
4 760 ֏
1 шт.
на сумму 8 900 ֏
Номенклатурный номер: 8005437162
Бренд: Qorvo Inc.
Описание
Unclassified
Технические параметры
| Case | TO220-3 |
| Drain current | 23A |
| Drain-source voltage | 650V |
| Features of semiconductor devices | ESD protected gate |
| Gate charge | 51nC |
| Gate-source voltage | ±25V |
| Kind of transistor | cascode |
| Manufacturer | Qorvo(UnitedSiC) |
| Mounting | THT |
| On-state resistance | 80mΩ |
| Polarisation | unipolar |
| Power dissipation | 190W |
| Pulsed drain current | 65A |
| Technology | SiC |
| Type of transistor | N-JFET/N-MOSFET |
| Вес, г | 1 |
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 4 сентября1 | бесплатно |
| HayPost | 8 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
