APT77N60SC6, MOSFET MOSFET COOLMOS 600 V 77 A TO-268
![APT77N60SC6, MOSFET MOSFET COOLMOS 600 V 77 A TO-268](https://static.chipdip.ru/lib/601/DOC006601318.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
17 300 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 17 300 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
МОП-транзистор Power МОП-транзистор - MOS8
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 77 A |
Pd - рассеивание мощности | 481 W |
Qg - заряд затвора | 260 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 37 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2.5 V |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Время нарастания | 27 ns |
Время спада | 8 ns |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 1 |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Типичное время задержки выключения | 110 ns |
Типичное время задержки при включении | 18 ns |
Торговая марка | Microsemi |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | D3PAK-3 |
Вес, г | 96 |
Техническая документация
Datasheet APT77N60SC6
pdf, 194 КБ