BCW66HTA, Bipolar Transistors - BJT NPN Low Saturation

Фото 1/2 BCW66HTA, Bipolar Transistors - BJT NPN Low Saturation
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
436 ֏
от 10 шт.388 ֏
от 100 шт.154 ֏
от 1000 шт.106 ֏
1 шт. на сумму 436 ֏
Номенклатурный номер: 8005444040
Бренд: DIODES INC.

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Описание Транзистор: NPN, биполярный, 45В, 0,8А, 330мВт, SOT23 Характеристики
Категория Транзистор
Тип биполярный
Вид NPN

Технические параметры

Base Product Number BCW66 ->
Current - Collector (Ic) (Max) 800mA
Current - Collector Cutoff (Max) 20nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 250 @ 100mA, 1V
ECCN EAR99
Frequency - Transition 100MHz
HTSUS 8541.21.0075
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Power - Max 330mW
REACH Status REACH Unaffected
RoHS Status ROHS3 Compliant
Supplier Device Package SOT-23-3
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 700mV @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 45V
Case SOT23
Collector current 0.8A
Collector-emitter voltage 45V
Current gain 80…630
Frequency 100MHz
Kind of package reel, tape
Manufacturer DIODES INCORPORATED
Mounting SMD
Polarisation bipolar
Power dissipation 0.33W
Type of transistor NPN
Вес, г 0.008

Техническая документация

Datasheet
pdf, 195 КБ
Datasheet
pdf, 190 КБ