DXT2011P5-13, Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANS,NPN 100V,6A

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

800 ֏

от 10 шт. — 710 ֏

от 100 шт. — 432 ֏

от 500 шт. — 347 ֏

1 шт. на сумму 800 ֏

Номенклатурный номер: 8005444047

Бренд: DIODES INC.

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT

Биполярные транзисторы - BJT BIPOLAR TRANS,NPN 100V,6A

Pd - рассеивание мощности	740 mW
Вид монтажа	SMD/SMT
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	10 A
Минимальная рабочая температура	55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	200 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	100 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	220 mV
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	7 V
Непрерывный коллекторный ток	6 A
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)	130 MHz
Размер фабричной упаковки	5000
Серия	DXT201
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка	Diodes Incorporated
Упаковка / блок	PowerDI-5
Вес, г	0.096