FCX790ATA, Bipolar Transistors - BJT PNP High Gain
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
710 ֏
от 10 шт. —
580 ֏
от 100 шт. —
370 ֏
от 500 шт. —
268 ֏
1 шт.
на сумму 710 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Биполярные транзисторы - BJT PNP High Gain
Технические параметры
| Pd - рассеивание мощности | 2000 mW |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Высота | 1.5 mm |
| Длина | 4.5 mm |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 300 at 10 mA, 2 V, 250 at 500 mA, 2 V, 200 at 1 |
| Конфигурация | Single |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 300 |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 2 A |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 50 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 40 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 450 mV |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 2 A |
| Подкатегория | Transistors |
| Полярность транзистора | PNP |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 100 MHz |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Серия | FCX790 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок | SOT-89-3 |
| Ширина | 2.5 mm |
| Base Product Number | FCX790 -> |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 2A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 300 @ 10mA, 2V |
| ECCN | EAR99 |
| Frequency - Transition | 100MHz |
| HTSUS | 8541.29.0075 |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| Package / Case | TO-243AA |
| Power - Max | 2W |
| REACH Status | REACH Affected |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Supplier Device Package | SOT-89-3 |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 450mV @ 50mA, 2A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 40V |
| Maximum Collector Base Voltage | 50 V |
| Maximum Collector Emitter Voltage | -40 V |
| Maximum DC Collector Current | -2 A |
| Maximum Emitter Base Voltage | 5 V |
| Maximum Operating Frequency | 100 MHz |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 2 W |
| Minimum DC Current Gain | 250 |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | SOT-89 |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Вес, г | 0.052 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 42 КБ
Datasheet FCX790ATA
pdf, 43 КБ
Datasheet FCX790ATA
pdf, 708 КБ
