FMMT591ATC, Bipolar Transistors - BJT PNP Medium Power
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
580 ֏
от 10 шт. —
436 ֏
от 100 шт. —
229 ֏
от 1000 шт. —
136 ֏
1 шт.
на сумму 580 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Биполярные транзисторы - BJT PNP Medium Power
Технические параметры
| Pd - рассеивание мощности | 500 mW |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Высота | 1 mm |
| Длина | 3.05 mm |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 300 at 1 mA, 5 V, 300 at 100 mA, 5 V, 250 at 500 |
| Конфигурация | Single |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 300 at 1 mA, 5 V |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 1 A |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 80 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 60 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.5 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 1 A |
| Подкатегория | Transistors |
| Полярность транзистора | PNP |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 150 MHz |
| Размер фабричной упаковки | 10000 |
| Серия | FMMT59 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок | SOT-23-3 |
| Ширина | 1.4 mm |
| Collector Emitter Voltage Max | 40В |
| Continuous Collector Current | 1А |
| DC Current Gain hFE Min | 160hFE |
| DC Усиление Тока hFE | 160hFE |
| Power Dissipation | 500мВт |
| Квалификация | - |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | - |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOT-23 |
| Частота Перехода ft | 150МГц |
| Вес, г | 0.008 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 332 КБ
