2N6297 PBFREE, Bipolar Transistors - BJT Through-Hole Transistor-Bipolar Power ( 1A) PNP Darlington
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
4 шт., срок 7-9 недель
20 200 ֏
1 шт.
на сумму 20 200 ֏
Номенклатурный номер: 8005473800
Бренд: Central Semiconductor Corp
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Технические параметры
| Brand: | Central Semiconductor |
| Collector- Base Voltage VCBO: | 80 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 80 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 3 V |
| Configuration: | Single |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 5 V |
| Factory Pack Quantity: | 30 |
| Gain Bandwidth Product fT: | 4 MHz |
| Manufacturer: | Central Semiconductor |
| Maximum DC Collector Current: | 4 A |
| Maximum Operating Temperature: | +200 C |
| Minimum Operating Temperature: | -65 C |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Packaging: | Tube |
| Pd - Power Dissipation: | 50 W |
| Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
| Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
| Subcategory: | Transistors |
| Transistor Polarity: | PNP |
| Вес, г | 5.84 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 408 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 11 сентября1 | бесплатно |
| HayPost | 15 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
