2N699 PBFREE, Bipolar Transistors - BJT NPN 120Vcbo 80Vceo 7.0Vebo 150mA 15pF

2N699 PBFREE, Bipolar Transistors - BJT NPN 120Vcbo 80Vceo 7.0Vebo 150mA 15pF
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
335 шт., срок 5-8 недель
3 030 ֏
от 10 шт.2 360 ֏
от 100 шт.1 770 ֏
от 250 шт.1 530 ֏
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 3 030 ֏
Номенклатурный номер: 8005473804

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT

Технические параметры

Brand: Central Semiconductor
Collector- Base Voltage VCBO: 120 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 80 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 1.3 V
Configuration: Single
Emitter- Base Voltage VEBO: 7 V
Factory Pack Quantity: 500
Gain Bandwidth Product fT: 60 MHz
Manufacturer: Central Semiconductor
Maximum DC Collector Current: 150 mA
Maximum Operating Temperature: +175 C
Minimum Operating Temperature: -65 C
Mounting Style: Through Hole
Packaging: Bulk
Pd - Power Dissipation: 2 W
Product Category: Bipolar Transistors-BJT
Product Type: BJTs-Bipolar Transistors
Subcategory: Transistors
Transistor Polarity: NPN
Вес, г 3

Техническая документация

Datasheet
pdf, 250 КБ

Сроки доставки

Доставка в регион Ереван

Офис «ЧИП и ДИП» 18 августа1 бесплатно
HayPost 21 августа1 1 650 ֏2
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг