CMUT5088E TR PBFREE, Bipolar Transistors - BJT Enh Spec 50Vcbo 50Vceo 5.0Vebo 350mW

552 шт., срок 7-9 недель
800 ֏
от 10 шт.660 ֏
от 100 шт.418 ֏
от 500 шт.336 ֏
1 шт. на сумму 800 ֏
Номенклатурный номер: 8005473878

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT

Технические параметры

Brand: Central Semiconductor
Collector- Base Voltage VCBO: 50 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 50 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 110 mV
Configuration: Single
Emitter- Base Voltage VEBO: 5 V
Factory Pack Quantity: 3000
Gain Bandwidth Product fT: 100 MHz
Manufacturer: Central Semiconductor
Maximum DC Collector Current: 100 mA
Maximum Operating Temperature: +150 C
Minimum Operating Temperature: -65 C
Mounting Style: SMD/SMT
Package / Case: SOT-523
Pd - Power Dissipation: 350 mW
Product Category: Bipolar Transistors-BJT
Product Type: BJTs-Bipolar Transistors
Subcategory: Transistors
Technology: Si
Transistor Polarity: NPN
Вес, г 1

Техническая документация

Datasheet
pdf, 418 КБ

Сроки доставки

Доставка в регион Ереван

Офис «ЧИП и ДИП» 11 сентября1 бесплатно
HayPost 15 сентября1 1 650 ֏2
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг