MPS6531 PBFREE, Bipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur SW
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1779 шт., срок 5-8 недель
980 ֏
от 10 шт. —
850 ֏
от 100 шт. —
540 ֏
от 500 шт. —
407 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 980 ֏
Номенклатурный номер: 8005473905
Бренд: Central Semiconductor Corp
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Технические параметры
| Brand: | Central Semiconductor |
| Collector- Base Voltage VCBO: | 60 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 40 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 300 mV |
| Configuration: | Single |
| Continuous Collector Current: | 600 mA |
| DC Collector/Base Gain hfe Min: | 90 |
| DC Current Gain hFE Max: | 270 |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 5 V |
| Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Gain Bandwidth Product fT: | 300 MHz |
| Manufacturer: | Central Semiconductor |
| Maximum DC Collector Current: | 600 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -65 C |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-92 |
| Packaging: | Bulk |
| Pd - Power Dissipation: | 625 mW |
| Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
| Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
| Subcategory: | Transistors |
| Transistor Polarity: | NPN |
| Вес, г | 0.45 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 391 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 18 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 21 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
