BC847BFA-7B, Bipolar Transistors - BJT 45V NPN SM Trans 435mW 100mA
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
484 ֏
от 10 шт. —
308 ֏
от 100 шт. —
181 ֏
от 1000 шт. —
119 ֏
1 шт.
на сумму 484 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Технические параметры
| Maximum Collector Base Voltage | 50 V |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 45 V |
| Maximum DC Collector Current | 100 mA |
| Maximum Emitter Base Voltage | 6 V |
| Maximum Operating Frequency | 100 MHz |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 435 mW |
| Minimum DC Current Gain | 200 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | DFN-0806 |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Type | NPN |
| Вес, г | 1 |
