BC847BLP4-7B, Bipolar Transistors - BJT General Purpose Tran X1-DFN1006-3,10K
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
660 ֏
от 10 шт. —
484 ֏
от 100 шт. —
256 ֏
от 1000 шт. —
152 ֏
1 шт.
на сумму 660 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Технические параметры
| Collector Emitter Voltage Max | 45В |
| Continuous Collector Current | 100мА |
| DC Current Gain hFE Min | 200hFE |
| DC Усиление Тока hFE | 200hFE |
| Power Dissipation | 1Вт |
| Квалификация | - |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | BC847 Series |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Полярность Транзистора | NPN |
| Стиль Корпуса Транзистора | X2-DFN1006 |
| Частота Перехода ft | 100МГц |
| Вес, г | 1 |
