BCM847BS-7, Bipolar Transistors - BJT General Purpose Transistor

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

357 ֏

от 10 шт. — 242 ֏

от 100 шт. — 97 ֏

от 1000 шт. — 64 ֏

1 шт. на сумму 357 ֏

Альтернативные предложения1

Номенклатурный номер: 8005475045

Бренд: DIODES INC.

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT

Описание Транзистор: NPN x2, биполярный, 45В, 100А, 200мВт, SOT363 Характеристики

Pd - рассеивание мощности	200 mW
Вид монтажа	SMD/SMT
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	200
Конфигурация	Dual
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	450
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	100 mA
Минимальная рабочая температура	65 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	50 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	45 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	905 mV
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	6 V
Непрерывный коллекторный ток	100 mA
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)	100 MHz
Размер фабричной упаковки	3000
Технология	Si
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка	Diodes Incorporated
Упаковка / блок	SOT-363-6
Вес, г	0.1