DDTD123TC-7-F, Digital Transistors 200MW 2.2K
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
282 ֏
от 10 шт. —
190 ֏
от 100 шт. —
75 ֏
от 1000 шт. —
50 ֏
1 шт.
на сумму 282 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Digital Transistors
Биполярный транзистор с предварительным смещением (BJT) NPN - с предварительным смещением 50 В 500 мА 200 МГц 200 мВт поверхностный монтаж SOT-23-3
Технические параметры
| Base Product Number | DDTD123 -> |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 500mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 50mA, 5V |
| ECCN | EAR99 |
| Frequency - Transition | 200MHz |
| HTSUS | 8541.21.0075 |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Power - Max | 200mW |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
| Вес, г | 0.008 |
