DSS4160V-7, Bipolar Transistors - BJT LOW VCE(SAT) NPN SMT
![DSS4160V-7, Bipolar Transistors - BJT LOW VCE(SAT) NPN SMT](https://static.chipdip.ru/lib/331/DOC043331888.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
580 ֏
от 10 шт. —
388 ֏
от 100 шт. —
150 ֏
от 1000 шт. —
106 ֏
1 шт.
на сумму 580 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Технические параметры
Brand: | Diodes Incorporated |
Collector- Base Voltage VCBO: | 80 V |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 60 V |
Collector-Emitter Saturation Voltage: | 250 mV |
Configuration: | Single |
Continuous Collector Current: | 1 A |
Emitter- Base Voltage VEBO: | 5 V |
Factory Pack Quantity: | 3000 |
Gain Bandwidth Product fT: | 150 MHz |
Manufacturer: | Diodes Incorporated |
Maximum DC Collector Current: | 1 A |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Package / Case: | SOT-563-6 |
Pd - Power Dissipation: | 600 mW |
Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
Subcategory: | Transistors |
Technology: | Si |
Transistor Polarity: | NPN |
Вес, г | 0.01 |
Техническая документация
Datasheet DSS4160V-7
pdf, 109 КБ