DSS4540X-13, Bipolar Transistors - BJT LOW VCE(SAT) NPN SMT
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
580 ֏
от 10 шт. —
484 ֏
от 100 шт. —
317 ֏
от 500 шт. —
234 ֏
1 шт.
на сумму 580 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Биполярные транзисторы - BJT LOW VCE(SAT) NPN SMT
Технические параметры
| Pd - рассеивание мощности | 2000 mW |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Высота | 1.6 mm (Max) |
| Длина | 4.6 mm (Max) |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 5 A |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 40 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 40 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 355 mV |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
| Подкатегория | Transistors |
| Полярность транзистора | NPN |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 70 MHz |
| Размер фабричной упаковки | 2500 |
| Серия | DSS45 |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок | SOT-89-3 |
| Ширина | 2.6 mm (Max) |
| Maximum Collector Base Voltage | 40 V |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 40 V |
| Maximum DC Collector Current | 4 A |
| Maximum Emitter Base Voltage | 6 V |
| Maximum Operating Frequency | 70 MHz |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 2 W |
| Minimum DC Current Gain | 300 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | SOT-89 |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Type | NPN |
| Вес, г | 0.052 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 104 КБ
Datasheet DSS4540X-13
pdf, 103 КБ
Datasheet DSS4540X-13
pdf, 108 КБ
