DZT5551-13, Bipolar Transistors - BJT 1000mW 160Vceo
![Фото 1/6 DZT5551-13, Bipolar Transistors - BJT 1000mW 160Vceo](https://static.chipdip.ru/lib/514/DOC006514428.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/674/DOC001674530.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/166/DOC004166733.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/876/DOC028876167.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/763/DOC016763557.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/438/DOC034438112.jpg)
530 ֏
от 10 шт. —
436 ֏
от 100 шт. —
286 ֏
от 500 шт. —
211 ֏
1 шт.
на сумму 530 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Биполярные транзисторы - BJT 1000mW 160Vceo
Технические параметры
Pd - рассеивание мощности | 1000 mW |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Высота | 1.65 mm |
Длина | 6.7 mm |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 30 at 50 mA, 5 V |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Максимальный постоянный ток коллектора | 600 mA |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 180 V |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 160 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 200 mV |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
Подкатегория | Transistors |
Полярность транзистора | NPN |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 300 MHz |
Размер фабричной упаковки | 2500 |
Серия | DZT5551 |
Технология | Si |
Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
Торговая марка | Diodes Incorporated |
Упаковка / блок | SOT-223-4 |
Ширина | 3.7 mm |
EU RoHS | Compliant |
ECCN (US) | EAR99 |
Part Status | Active |
HTS | 8541.29.00.95 |
Type | NPN |
Product Category | Bipolar Power |
Configuration | Single Dual Collector |
Number of Elements per Chip | 1 |
Maximum Collector Base Voltage (V) | 180 |
Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 160 |
Maximum Emitter Base Voltage (V) | 6 |
Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V) | 1@1mA@10mA|1.2@5mA@50mA |
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) | 0.2@5mA@50mA|0.15@1mA@10mA |
Maximum DC Collector Current (A) | 0.6 |
Maximum Collector Cut-Off Current (nA) | 50 |
Minimum DC Current Gain | 80@1mA@5V|30@50mA@5V|80@10mA@5V |
Maximum Power Dissipation (mW) | 2000 |
Maximum Transition Frequency (MHz) | 300 |
Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
Packaging | Tape and Reel |
Automotive | No |
Standard Package Name | SOT-223 |
Pin Count | 4 |
Supplier Package | SOT-223 |
Military | No |
Mounting | Surface Mount |
Package Height | 1.6 |
Package Length | 6.5 |
Package Width | 3.5 |
PCB changed | 3 |
Tab | Tab |
Lead Shape | Gull-wing |
Maximum Collector Base Voltage | 180 V |
Maximum Collector Emitter Voltage | 160 V |
Maximum DC Collector Current | 600 mA |
Maximum Emitter Base Voltage | 6 V |
Maximum Operating Frequency | 300 MHz |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 1 W |
Mounting Type | Surface Mount |
Package Type | SOT-223(SC-73) |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Type | NPN |
Вес, г | 0.112 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 165 КБ
Datasheet DZT5551-13
pdf, 145 КБ
Datasheet DZT5551-13
pdf, 150 КБ