FZT603QTA, Darlington Transistors Pwr Mid Perf Transistor SOT223 T&R 1K
![Фото 1/2 FZT603QTA, Darlington Transistors Pwr Mid Perf Transistor SOT223 T&R 1K](https://static.chipdip.ru/lib/285/DOC005285763.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/045/DOC013045950.jpg)
1 190 ֏
от 10 шт. —
930 ֏
от 100 шт. —
690 ֏
от 500 шт. —
530 ֏
1 шт.
на сумму 1 190 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Darlington Transistors
Технические параметры
Brand | Diodes Incorporated |
Collector- Base Voltage VCBO | 100 V |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 80 V |
Configuration | Single Dual Collector |
Continuous Collector Current | 2 A |
DC Collector/Base Gain Hfe Min | 3000 |
Emitter- Base Voltage VEBO | 10 V |
Factory Pack Quantity | 1000 |
Gain Bandwidth Product FT | 150 MHz |
Manufacturer | Diodes Incorporated |
Maximum Collector Cut-Off Current | 10 uA |
Maximum DC Collector Current | 6 A |
Maximum Operating Temperature | +150 C |
Minimum Operating Temperature | -55 C |
Mounting Style | SMD/SMT |
Package / Case | SOT-223-3 |
Packaging | Cut Tape or Reel |
Pd - Power Dissipation | 3 W |
Product Category | Darlington Transistors |
Product Type | Darlington Transistors |
Qualification | AEC-Q101 |
Subcategory | Transistors |
Transistor Polarity | NPN |
Collector Emitter Voltage Max | 80В |
DC Current Gain hFE Min | 2000hFE |
DC Усиление Тока hFE | 2000hFE |
Power Dissipation | 3Вт |
Квалификация | AEC-Q101 |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Линейка Продукции | - |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Монтаж транзистора | Surface Mount |
Полярность Транзистора | NPN |
Стиль Корпуса Транзистора | SOT-223 |
Частота Перехода ft | 150МГц |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 460 КБ