MMST2907AQ-7, Bipolar Transistors - BJT 60V PNP Small Signal Transistor

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

396 ֏

от 10 шт. — 269 ֏

от 100 шт. — 106 ֏

от 1000 шт. — 69 ֏

1 шт. на сумму 396 ֏

Номенклатурный номер: 8005475332

Бренд: DIODES INC.

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT

Биполярные транзисторы - BJT 60V PNP Small Signal Transistor

Pd - рассеивание мощности	200 mW
Вид монтажа	SMD/SMT
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	50
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	600 mA
Минимальная рабочая температура	55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	60 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	60 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	1.6 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	5 V
Непрерывный коллекторный ток	600 mA
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)	200 MHz
Размер фабричной упаковки	3000
Технология	Si
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка	Diodes Incorporated
Упаковка / блок	SOT-323-3
Вес, г	0.006