MMSTA06-7-F, Bipolar Transistors - BJT 80V 200mW
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
620 ֏
от 10 шт. —
410 ֏
от 100 шт. —
159 ֏
от 1000 шт. —
112 ֏
1 шт.
на сумму 620 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Технические параметры
| Collector-Emitter Breakdown Voltage | 80V |
| Maximum DC Collector Current | 500mA |
| Pd - Power Dissipation | 200mW |
| Transistor Type | NPN |
| Вес, г | 1 |
