MMSTA42-7-F, Bipolar Transistors - BJT 300V 200mW
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
383 ֏
от 10 шт. —
229 ֏
от 100 шт. —
110 ֏
от 1000 шт. —
72 ֏
1 шт.
на сумму 383 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Биполярные транзисторы - BJT 300V 200mW
Технические параметры
| Pd - рассеивание мощности | 200 mW (1/5 W) |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Высота | 1 mm |
| Длина | 2.2 mm |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 25 |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 0.2 A |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 300 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 300 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.5 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 0.2 A |
| Подкатегория | Transistors |
| Полярность транзистора | NPN |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 50 MHz |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Серия | MMSTA |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок | SOT-323-3 |
| Ширина | 1.35 mm |
| Maximum Collector Base Voltage | 300 V |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 300 V |
| Maximum DC Collector Current | 200 mA |
| Maximum Emitter Base Voltage | 6 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 200 mW |
| Minimum DC Current Gain | 40 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | SOT-323(SC-70) |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Type | NPN |
| Вес, г | 1 |
