ZXTN19020DZTA, Bipolar Transistors - BJT NPN 20V HIGH GAIN

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

970 ֏

от 10 шт. — 800 ֏

от 100 шт. — 540 ֏

от 500 шт. — 403 ֏

1 шт. на сумму 970 ֏

Номенклатурный номер: 8005475453

Бренд: DIODES INC.

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT

Биполярные транзисторы - BJT NPN 20V HIGH GAIN

Pd - рассеивание мощности	4460 mW
Вид монтажа	SMD/SMT
Высота	1.6 mm (Max)
Длина	4.6 mm (Max)
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	300 at 100 mA at 2 V, 260 at 2 A at 2 V, 150 at 7.
Конфигурация	Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	300
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	7.5 A
Минимальная рабочая температура	55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	70 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	20 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	7 V
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)	160 MHz
Размер фабричной упаковки	1000
Серия	ZXTN190
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка	Diodes Incorporated
Упаковка / блок	SOT-89-3
Ширина	2.6 mm (Max)
Вес, г	0.052