F3L300R12MT4_B23, IGBT Modules MEDIUM POWER ECONO
286 000 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 286 000 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\IGBT Modules
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 1.2 kV |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.75 V |
| Configuration: | Half Bridge |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 450 A |
| Factory Pack Quantity: | 10 |
| Gate-Emitter Leakage Current: | 100 nA |
| Manufacturer: | Infineon |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -40 C |
| Packaging: | Tray |
| Part # Aliases: | SP000893952 F3L300R12MT4B23BOSA1 |
| Pd - Power Dissipation: | 1.55 kW |
| Product Category: | IGBT Modules |
| Product Type: | IGBT Modules |
| Product: | IGBT Silicon Modules |
| Subcategory: | IGBTs |
| Technology: | Si |
| Другие названия товара № | F3L300R12MT4B23BOSA1 SP000893952 |
| Категория продукта | Модули биполярных транзисторов с изолированным зат |
| Подкатегория | IGBTs |
| Размер фабричной упаковки | 10 |
| Тип продукта | IGBT Modules |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка | Tray |
| Вес, г | 346 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 658 КБ
Datasheet F3L300R12MT4_B23
pdf, 901 КБ
