DF80R07W1H5FPB11BPSA1, IGBT Modules N
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
69 700 ֏
от 10 шт. —
59 300 ֏
1 шт.
на сумму 69 700 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\IGBT Modules
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) LOW POWER EASY
Технические параметры
| Pd - рассеивание мощности | 20 mW |
| Вид монтажа | Screw Mount |
| Другие названия товара № | DF80R07W1H5FP_B11 SP001781604 |
| Категория продукта | Модули биполярных транзисторов с изолированным зат |
| Коммерческое обозначение | TRENCHSTOP EasyPACK CoolSiC |
| Конфигурация | Dual |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 20 V |
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 650 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.4 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 20 A |
| Подкатегория | IGBTs |
| Продукт | IGBT Silicon Carbide Modules |
| Размер фабричной упаковки | 30 |
| Серия | Trenchstop IGBT5 - H5 |
| Технология | SiC |
| Тип продукта | IGBT Modules |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 100 nA |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка | Tray |
| Упаковка / блок | Module |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet DF80R07W1H5FPB11BPSA1
pdf, 645 КБ
