FP35R12W2T7B11BOMA1, IGBT Modules EASY STANDARD
![Фото 1/2 FP35R12W2T7B11BOMA1, IGBT Modules EASY STANDARD](https://static.chipdip.ru/lib/624/DOC026624774.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/854/DOC034854117.jpg)
53 600 ֏
1 шт.
на сумму 53 600 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\IGBT Modules
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) LOW POWER EASY
Технические параметры
Другие названия товара № | FP35R12W2T7_B11 SP001783588 |
Категория продукта | Модули биполярных транзисторов с изолированным зат |
Коммерческое обозначение | TRENCHSTOP ~ EasyPIM |
Подкатегория | IGBTs |
Размер фабричной упаковки | 15 |
Серия | Trenchstop IGBT7 |
Тип продукта | IGBT Modules |
Торговая марка | Infineon Technologies |
Упаковка | Tray |
Channel Type | N |
Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V |
Maximum Continuous Collector Current | 35 A |
Maximum Gate Emitter Voltage | 20V |
Maximum Power Dissipation | 20 mW |
Package Type | AG-EASY2B |
Transistor Configuration | Common Emitter |
Collector Emitter Saturation Voltage | 1.6В |
Collector Emitter Voltage Max | 1.2кВ |
Continuous Collector Current | 35А |
DC Ток Коллектора | 35А |
Выводы БТИЗ | Press Fit |
Конфигурация БТИЗ | PIM |
Линейка Продукции | EasyPIM TRENCHSTOP |
Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
Максимальная Температура Перехода Tj | 175°C |
Монтаж транзистора | Panel |
Напряжение Коллектор-Эмиттер | 1.2кВ |
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) | 1.6В |
Стиль Корпуса Транзистора | Module |
Технология БТИЗ | IGBT 7(Trench/Field Stop) |
Вес, г | 39 |
Техническая документация
Datasheet FP35R12W2T7B11BOMA1
pdf, 860 КБ
Datasheet FP35R12W2T7B11BOMA1
pdf, 807 КБ